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英特爾挖角格芯CTO:“三分天下”的晶圓之戰開始發力

2019-12-15 10:41:34??????點擊:
      [導讀]在目前最新的消息顯示,英特爾(Intel)最近招攬了前格芯(GlobalFoundries)CTO、前IBM微電子業務主管Gary Patton博士。當然,為了做好新的CPU/GPU架構,Intel還批量挖走了Raja Koduri、Jim Keller等一大批業界牛人。
       12月13日 訊 - 前幾日,英特爾的制造工藝路線被披露,雖然ASML擅自在路線圖中增加了7nm、5nm、3nm、2nm和1.4nm的標注,但總體2年一次更替的摩爾定律仍在進行之中。
而在目前最新的消息顯示,英特爾(Intel)最近招攬了前格芯(GlobalFoundries)CTO、前IBM微電子業務主管Gary Patton博士。當然,為了做好新的CPU/GPU架構,Intel還批量挖走了Raja Koduri、Jim Keller等一大批業界牛人。
      目前來說,格芯已經改變了投資策略,取消了7nm、5nm的工藝研發,專注進行14/12nm方面工藝和專用性的22FDX、12FDX。所以Gary Patton這樣的人才仍然可以再一線研發對他來說是一件好事。
目前來說,在晶圓廠之戰已變為“三分天下”的格局,這三家分別是英特爾、臺積電、三星。
英特爾方面,日前報道中爆料的2年一更新的制程之路來說,雖然這是一個烏龍事件,但這是第一個被ASML爆料出的1.4nm工藝。當然,英特爾還強調了在每個流程節點之間,將會有迭代的+和++版本,以便從每個流程節點提取性能。但在EUV方面,仍然需要至2021年才會上EUV設備。
        臺積電方面,眾所周知在EUV工藝上屬于“熟練掌握”的玩家,誠然晶圓廠在標注制程方面通常也會使用一些技巧導致臺積電7nm工藝與英特爾10nm工藝性能并無二異。但單純從數字上面來看,目前臺積電已在5nm方面進入量產倒計時,3nm與2nm已提上了日程并且遠比英特爾要早。不過有了之前的經驗,或許性能方面仍然不會有差別。
       三星方面,則穩扎穩打,從14nm、10nm、7nm、3nm四個主要節點進行規劃,而在3nm節點以后,三星要放棄FinFET轉向GAA晶體管,3GAE工藝和3GAP工藝的優化改良之路還遠矣。
摩爾定律的2年一更新仍然在持續之中,而如若走在在1nm制程以下,摩爾定律該如何繼續延續,這將成為一個嚴肅的問題。
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