從“尚未決定”到“最終落戶”，三星電子第二期投資終于落戶在古城西安。據(jù)最新消息，三星電子在西安的閃存芯片項目二期投資80億美元落地。今年5月份，三星電子曾表示，尚未決定對中國西安的第二條閃存芯片生產(chǎn)線進(jìn)行額外投資的計劃，具體情況將取決于市場狀況。

本月10日，三星電子閃存芯片項目二期第二階段80億美元投資正式啟動。據(jù)了解，這是三星電子在西安閃存芯片項目二期第二階段投資。

2012年，西安高新區(qū)成功引進(jìn)三星電子存儲芯片項目，成為了三星海外投資歷史上投資規(guī)模最大的項目，一期投資108億美元，建成了三星電子存儲芯片項目和封裝測試項目，于2014年5月竣工投產(chǎn)。

二期項目總投資150億美元，2018年3月正式開工建設(shè)，主要制造閃存芯片。其中，第一階段投資約70億美元，明年3月竣工投產(chǎn);第二階段投資80億美元，2021年下半年竣工。據(jù)了解，三星電子閃存芯片二期項目建成后將新增產(chǎn)能每月13萬片，新增產(chǎn)值300億元，帶動一批配套電子信息企業(yè)落戶。

早在2019年5月，“三星電子二期投資即將落地”的傳言在業(yè)內(nèi)散開，隨后，三星電子公司公開表示，尚未決定對中國西安的第二條閃存芯片生產(chǎn)線進(jìn)行額外投資的計劃，否認(rèn)了中國國內(nèi)媒體的報道。并表示第二期投資情況將取決于存儲市場的走勢。

“鎧俠的跳電事件導(dǎo)致產(chǎn)能下降，加上各廠商的減產(chǎn)等因素，NAND Flash的單價有所回升。”分析師楊俊剛對《中國電子報》記者說。

存儲芯片回暖，三星二階段提前落地

2019年年初，閃存芯片價格大幅下跌，全球許多知名閃存制造商，選擇放緩擴(kuò)張計劃，并宣布減產(chǎn)。經(jīng)過了一年的價位下滑，年底存儲市場或?qū)⒂瓉碇沟磸?。?jù)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心（DRAMeXchange）最新預(yù)測，2019年第三季度，NAND Flash廠商營收季增10%，約達(dá)到119億美元。

“明年閃存市場回暖，需求量增加，三星在此時加快擴(kuò)產(chǎn)在情理之中。”市場分析師黃陽棋對記者說。

11月25日，據(jù)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心（DRAMeXchange）發(fā)布最新預(yù)測報告，稱三星電子在新產(chǎn)能方面，西安二期仍依規(guī)劃于2020年上半年投產(chǎn)。十五天后，三星電子二期第二階段的投資落地，比分析機(jī)構(gòu)預(yù)測的提前。