據悉，此前長鑫存儲投資了1500億元在合肥建設DRAM研發生產基地，并于日前官宣了其DDR4模組，相較于DDR3模組，性能和帶寬顯著提升，最高速率可達3200Mbps。DDR4模組是目前內存市場主流產品，可服務于個人電腦和服務器等傳統市場，以及人工智能和物聯網等新興市場。
一位韓國業內專家表示:“與NAND閃存不同，DRAM芯片只有在其質量和性能得到保證后才能使用。”
此外，韓媒指出，以長鑫存儲為代表的一系列的半導體企業的實力不容小覷。中國對于半導體行業的投資額正呈現逐年增長的趨勢，去年，中國對半導體設備的投資總計129.1億美元，而韓國的投資總額為105.2億美元。前一年的數字分別為131億美元和176.7億美元，今年預估分別為149.2億美元和103.4億美元。