金星是距離地球最近的行星，但為什么除了登陸月球外，我們最常談到的都是登錄火星，而不是金星？主要是因為金星表面溫度極高，最高可達480℃，這種溫度甚至足以熔化鉛，現有的硅基電子器件是無法在如此極端的溫度下長時間運行的，所以即使是發射無人探測器也是相當困難的。
而氮化鎵作為下一代半導體的理想材料之一，可以承受500度甚至更高的溫度，受到了業界的廣泛關注。雖然它已經被用于一些地面電子設備，如手機充電器和手機信號塔，但科學家們仍不清楚氮化鎵器件在300度以上的溫度下會如何表現，因為傳統硅電子產品的運行極限就是300度。
最近，麻省理工學院和多所大學的聯合團隊試圖解答有關氮化鎵在極高溫度下的性質和性能的關鍵問題，他們的主要課題是研究溫度對氮化鎵器件中歐姆接觸的影響，因為歐姆接觸是連接半導體器件與外界的關鍵。
對此，研究人員解釋到：“晶體管是大多數現代電子產品的核心，但我們不想直接制作氮化鎵晶體管，因為可能會出很多問題。我們首先要確保材料和接觸點能夠存活，并弄清楚隨著溫度升高它們會發生多大的變化。”
而在實驗中，研究人員發現，極端溫度并不會對氮化鎵材料或觸點造成嚴重損壞。無論是使用金屬沉積法，還是高溫再結晶法制造的觸點，在500攝氏度下放置48小時，觸點的結構均完好無損。
雖然在48小時后氮化鎵材料確實開始了降解，但這一發現也為開發可在金星表面工作的高性能晶體管提供了方向，研究人員下一步將著手提高其長期性能，同時除了太空應用外，這種晶體管也可以在地球上用于提取地熱能或監測噴氣發動機內部等的電子設備。