據業內信息，Intel高級副總裁兼中國區董事長王瑞近日表示，目前已經完成和IFS部門芯片制造所需的Intel 18A (1.8nm)和Intel 20A (2nm)制程工藝的開發并已經流片，預計最早于2024年量產。

除此之外，Intel已經確定了Intel 18A (1.8nm)和Intel 20A (2nm)的所有規格、材料、要求和性能目標。Intel 20A (2nm)制造工藝將依賴于全門控環繞RibbonFET晶體管，并采用背面供電。

據悉，同時縮小金屬間距、引入全新的晶體管結構和背面供電是具有較高風險的方案，但是如果成功的話將超越臺積電和三星半導體。

Intel 18A (1.8nm)制造工藝將進一步完善Intel的RibbonFET和PowerVia技術，并縮小晶體管尺寸。該節點的開發進展順利，Intel將其推出時間從2025年提前到了2024年下半年。

Pat·Gelsinger進入Intel之后，就開啟了IDM 2.0戰略，力求打造代工業務并擴大產能，使得近幾年發展迅速，從Intel 10制程開始，逐步有序進入到Intel 7和Intel 4技術節點，然后就是 Intel 3、Intel 20A 和最新的Intel 18A制程。

據悉，Intel最初計劃在其Intel 18A (1.8nm)節點上使用ASML的Twinscan EXE掃描儀，數值孔徑(NA)光學為0.55，但由于決定盡早使用該技術，它將不得不廣泛使用現有的Twinscan NXE掃描儀，光學NA為0.33，以及EUV雙重圖案。

Intel 18A (1.8nm)和Intel 20A (2nm)制造工藝既為公司自身產品的生產開發，也將用于Intel Foundry Services (IFS)事業部為其代工客戶生產芯片，2024年下半年產進入市場后將成為行業最先進的工藝節點。

Pat·Gelsinger在最近與分析師和投資者的電話會議上表示：“我們與10大代工客戶中的七家保持著積極的合作關系，并持續擴大合作伙伴生態系統的增長，目前已經有43個潛在客戶和生態系統合作伙伴進行測試芯片。此外，我們在Intel 18A方面仍在取得進展，已經與我們的主要客戶分享了PDK 0.5(工藝設計工具包)的工程版本，并預計在未來幾周內發布最終生產版本?！?br />