半導體大廠積極布局，與此同時，各國也正加大補貼力度推動第三代半導體產業持續向前邁進，美國是其中之一。
博世將獲2.25億美元芯片補貼，用于生產碳化硅
近期，美國商務部宣布，已與德國汽車零部件供應商博世達成初步協議，美國計劃向博世位于加州的晶圓廠改造項目提供2.25億美元直接資金和 3.5 億美元貸款，以助力博世在加州生產碳化硅功率半導體。
資料顯示，2023年博世收購了TSI Semiconductors，取得了后者位于加州羅斯維爾的8英寸晶圓廠所有權，計劃耗資19億美元將該晶圓廠改造為碳化硅生產設施，目標2026年投產。美國商務部表示，博世在加州的半導體廠預計將在產能全開時占據全美碳化硅芯片制造產能超過40%的比重。
博世表示，碳化硅有助于在電動汽車和插電式混合動力汽車中實現更大的續航里程和更高效的充電，從而為消費者提供負擔得起的電動汽車選擇。
據悉，除了直接資金和貸款之外，博世還計劃向美國財政部申請相當于合格資本支出額25%的先進制造投資抵免。
發力氮化鎵，格芯又獲美國補貼
12月初，格芯官網消息，該公司又獲得了美國950萬美元資助，用于推進其位于美國佛蒙特州埃塞克斯交界的工廠的硅基氮化鎵半導體的生產。
獲得上述資金之后，格芯將繼續為其氮化鎵IP產品組合和可靠性測試增加新的工具、設備和原型開發能力，其將更接近在佛蒙特州全面制造8英寸氮化鎵芯片。
據媒體報道，自2020年以來，格芯已從美國獲得了高額資金，用于支持研究、開發和全面制造氮化鎵芯片。其中，2023年10月，格芯宣布獲得美國政府提供的3500萬美元聯邦資金。
業務進展上，今年7月，格芯收購了Tagore Technology的氮化鎵功率產品組合，并在印度加爾各答創建了功率中心。該中心與格芯位于佛蒙特州的工廠密切配合并為其提供支持，有助于推動格芯在氮化鎵芯片制造領域的研發和量產。