俄羅斯一家研究單位正在研究開發自己的半導體微影光刻設備，可以被用于7納米制程芯片的生產上。


俄羅斯政府推出了一項國家計劃，到2030年開發出自己的28納米制程技術，并盡可能利用外國芯片進行逆向工程取得技術，同時也要培養本土人才從事國產芯片的生產工作。


報道稱， 俄羅斯科學院下屬的俄羅斯應用物理研究所（Russian Institute of Applied Physics，IAP）樂觀預期，俄羅斯到2028年能夠成功研發且量產出具有7納米制造能力的微影光刻設備。據悉，IAP指出，設備研發生完成后，其設備可能會比ASML的Twinscan NXT:2000i效能更高。值得一提的是，ASML開發Twinscan NXT:2000i的時間超過了10年。
據介紹，能夠使用7nm級工藝技術處理晶圓的現代光刻掃描儀是一種高度復雜的設備。不過，該工具將與ASML或Nikon等公司生產的光刻掃描儀有所不同。例如，IAP 計劃使用大于 600W 的光源（總功率，不是中焦功率），曝光波長為 11.3nm（EUV 波長為 13.5nm），這將需要比現在更復雜的光學器件。由于該設備的光源功率相對較低，這將使工具更緊湊，更易于構建。然而，這也意味著其掃描儀的產量將大大低于現代深紫外 (DUV) 工具的產量。
就現階段來說，32納米以下的制程技術，制造商目前主流采用的是所謂的沉浸式微影光刻設備。ASML于2003年底推出了其第一款沉浸式微影光刻設備-Twinscan XT:1250i，并在2004年第三季交貨一臺設備，用以生產65納米邏輯芯片和70納米等級的DRAM。之后，該公司花了大約5年時間，于2008年底宣布推出之支援32納米的Twinscan NXT:1950i，沉浸式微影光刻設備，并于2009年開始向客戶交貨。
以上說明，代表當前的技術領先者ASML大約花了9年的時間，才在2018年交貨其支援7納米和5納米制程的Twinscan NXT:2000i DUV微影光刻設備。再從ASML的產品發展歷程來看，從65納米制程發展到7納米制程，總計用了14年的時間。
現在，在芯片生產方面沒有任何經驗或與芯片制造商沒有任何聯系的俄羅斯IAP，打算在大約6年的時間里從頭開始制造一套支援7納米制程的微影光刻設備，并進一步進行量產，雖然這個計劃聽起來實在不太可行，但看起來IAP卻是充滿了熱情。
根據發展時程，IAP計劃在2024年之前建造一個功能齊全的首代微影光刻設備。這個微影光刻設備不必提供高生產率，或最大解析度，但必須能運作，使其對潛在投資者有吸引力。之后，IAP打算在2026年之前制造出具有更高生產力和解析度的微影光刻設備的測試版。這時這套機器應該要可以量產晶圓，但預計其生產力不會達到最大。至于，俄羅斯規劃的微影光刻設備終極版本將在2028年問世，其不但要能獲得高性能光源，并且具有更好的計算量測和整體能力。不過，目前尚沒有公布IAP與其生產合作伙伴將要生產多少套此類設備。?