三星將于明年發(fā)布Exynos 2400處理器,采用FoWLP封裝
2023-4-19 10:37:01??????點(diǎn)擊:
據(jù)EDN電子技術(shù)設(shè)計(jì)引援韓媒報(bào)道稱,三星“Exynos 2400”芯片預(yù)計(jì)將于明年發(fā)布,并再次搭載在三星智能手機(jī)Galaxy上,韓媒稱“Exynos 2400”將基于新推出的尖端芯片技術(shù)實(shí)現(xiàn)翻天覆地的變化。
Exynos 2400 將出現(xiàn)在 Galaxy S24 系列中
Herald Corp表示據(jù)TrendForce 的一份報(bào)告指出,三星的 Galaxy S24 系列將配備 Exynos 2400,這是一款配備 4 核 GPU 的 SoC。圖形處理器可能基于 AMD 的架構(gòu),因?yàn)槿呛吞幚砥髦圃焐套罱m(xù)簽了許可協(xié)議。
據(jù)稱Exynos 2400最大的改進(jìn)是將基于三星的 4nm LPP 工藝上量產(chǎn)。據(jù)TrendForce稱,LPP 是一個(gè)節(jié)能節(jié)點(diǎn),也針對(duì)性能進(jìn)行了優(yōu)化。這種制造工藝被認(rèn)為優(yōu)于三星早期的 4nm 迭代,該節(jié)點(diǎn)產(chǎn)品被評(píng)估為比三星之前開發(fā)的4納米LPE(Low Power Early)和LPI(Low Power Improv)具有更多改進(jìn)功能的產(chǎn)品。按照三星去年新推出的節(jié)點(diǎn)命名,它是一款對(duì)應(yīng)“SF4”的產(chǎn)品。
去年,半導(dǎo)體行業(yè)繼續(xù)對(duì)三星的4納米良率提出擔(dān)憂。對(duì)此,三星在去年10月舉行的“三星晶圓代工論壇 2022”上解釋稱,“最初對(duì)4納米等的良率存在擔(dān)憂,但我們將(良率)提高到現(xiàn)有前端節(jié)點(diǎn)的水平。“
不過業(yè)內(nèi)人士評(píng)價(jià),根據(jù)Galaxy S24是否搭載Exynos2400,將有可能衡量三星芯片前道工藝的技術(shù)發(fā)展水平。在去年 9 月舉行的新聞發(fā)布會(huì)上,三星電子總裁 Gye-hyun Gye-hyun 表示,“(三星)正在積極開發(fā) 3 納米,4 和 5 納米也比以前提高了性能和成本。”“明年(2023年)年底左右,代工廠的面貌會(huì)和現(xiàn)在不一樣。”
此外,Exynos 2400有可能采用扇出型晶圓級(jí)封裝(FOWLP)技術(shù)。
扇出晶圓級(jí)封裝是一種集成電路封裝技術(shù),是標(biāo)準(zhǔn)晶圓級(jí)封裝解決方案的增強(qiáng)。在傳統(tǒng)技術(shù)中,首先切割晶片,然后封裝各個(gè)管芯;然后,將單個(gè)管芯封裝在晶片上。封裝尺寸通常比芯片尺寸大得多。
TSMC 的一些集成扇出 (InFO) 晶圓級(jí)封裝 (WLP) 示例 [來源TSMC 主頁]
相比之下,在標(biāo)準(zhǔn)的 WLP 流程中,集成電路在封裝時(shí)仍是晶圓的一部分,然后將晶圓切成小塊。最終的封裝實(shí)際上與裸片本身的尺寸相同。
業(yè)界預(yù)計(jì)三星將通過 FOWLP 將 Exynos 2400 的性能提升到一個(gè)新的水平。
三星還可能希望重新使用其 Exynos 芯片組系列,因?yàn)槔^續(xù)依賴高通將意味著后者可能對(duì)其第三代驍龍 8 收取更高的費(fèi)用,從而增加這家韓國巨頭的零部件成本并侵蝕其智能手機(jī)的利潤率。然而,關(guān)于三星早先與高通達(dá)成協(xié)議的傳言不斷傳出,該協(xié)議稱兩家公司已建立新的“多年期”合作伙伴關(guān)系。因此,三星可能會(huì)在幾年內(nèi)繼續(xù)與高通保持合作。
Exynos 2400 將出現(xiàn)在 Galaxy S24 系列中
Herald Corp表示據(jù)TrendForce 的一份報(bào)告指出,三星的 Galaxy S24 系列將配備 Exynos 2400,這是一款配備 4 核 GPU 的 SoC。圖形處理器可能基于 AMD 的架構(gòu),因?yàn)槿呛吞幚砥髦圃焐套罱m(xù)簽了許可協(xié)議。
據(jù)稱Exynos 2400最大的改進(jìn)是將基于三星的 4nm LPP 工藝上量產(chǎn)。據(jù)TrendForce稱,LPP 是一個(gè)節(jié)能節(jié)點(diǎn),也針對(duì)性能進(jìn)行了優(yōu)化。這種制造工藝被認(rèn)為優(yōu)于三星早期的 4nm 迭代,該節(jié)點(diǎn)產(chǎn)品被評(píng)估為比三星之前開發(fā)的4納米LPE(Low Power Early)和LPI(Low Power Improv)具有更多改進(jìn)功能的產(chǎn)品。按照三星去年新推出的節(jié)點(diǎn)命名,它是一款對(duì)應(yīng)“SF4”的產(chǎn)品。
去年,半導(dǎo)體行業(yè)繼續(xù)對(duì)三星的4納米良率提出擔(dān)憂。對(duì)此,三星在去年10月舉行的“三星晶圓代工論壇 2022”上解釋稱,“最初對(duì)4納米等的良率存在擔(dān)憂,但我們將(良率)提高到現(xiàn)有前端節(jié)點(diǎn)的水平。“
不過業(yè)內(nèi)人士評(píng)價(jià),根據(jù)Galaxy S24是否搭載Exynos2400,將有可能衡量三星芯片前道工藝的技術(shù)發(fā)展水平。在去年 9 月舉行的新聞發(fā)布會(huì)上,三星電子總裁 Gye-hyun Gye-hyun 表示,“(三星)正在積極開發(fā) 3 納米,4 和 5 納米也比以前提高了性能和成本。”“明年(2023年)年底左右,代工廠的面貌會(huì)和現(xiàn)在不一樣。”
此外,Exynos 2400有可能采用扇出型晶圓級(jí)封裝(FOWLP)技術(shù)。
扇出晶圓級(jí)封裝是一種集成電路封裝技術(shù),是標(biāo)準(zhǔn)晶圓級(jí)封裝解決方案的增強(qiáng)。在傳統(tǒng)技術(shù)中,首先切割晶片,然后封裝各個(gè)管芯;然后,將單個(gè)管芯封裝在晶片上。封裝尺寸通常比芯片尺寸大得多。
TSMC 的一些集成扇出 (InFO) 晶圓級(jí)封裝 (WLP) 示例 [來源TSMC 主頁]
相比之下,在標(biāo)準(zhǔn)的 WLP 流程中,集成電路在封裝時(shí)仍是晶圓的一部分,然后將晶圓切成小塊。最終的封裝實(shí)際上與裸片本身的尺寸相同。
業(yè)界預(yù)計(jì)三星將通過 FOWLP 將 Exynos 2400 的性能提升到一個(gè)新的水平。
三星還可能希望重新使用其 Exynos 芯片組系列,因?yàn)槔^續(xù)依賴高通將意味著后者可能對(duì)其第三代驍龍 8 收取更高的費(fèi)用,從而增加這家韓國巨頭的零部件成本并侵蝕其智能手機(jī)的利潤率。然而,關(guān)于三星早先與高通達(dá)成協(xié)議的傳言不斷傳出,該協(xié)議稱兩家公司已建立新的“多年期”合作伙伴關(guān)系。因此,三星可能會(huì)在幾年內(nèi)繼續(xù)與高通保持合作。
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