據(jù)“AUTOSEMO”消息，11月30日，中汽創(chuàng)智首批自主研發(fā)的1200V 20mΩ SiC MOSFET在積塔工廠正式下線。本款芯片采用平面柵型結(jié)構(gòu)，具有獨(dú)立自主的知識(shí)產(chǎn)權(quán)、自主設(shè)計(jì)的新型終端結(jié)構(gòu)具有更高的工藝可靠性，在同等耐壓水平下，體積更小，可應(yīng)用于新能源汽車主驅(qū)逆變器等車載電源系統(tǒng)。


中汽創(chuàng)智表示，通過(guò)以SiC模塊為切入點(diǎn)，快速形成SiC功率模塊封裝、測(cè)試能力和基于SiC技術(shù)的車載集成電源系統(tǒng)開(kāi)發(fā)能力，逐步建立起從上游芯片設(shè)計(jì)、模塊封裝，到下游應(yīng)用支持的“一站式” 能力。


現(xiàn)場(chǎng)，中汽創(chuàng)智和積塔半導(dǎo)體進(jìn)行了戰(zhàn)略合作簽約。中汽創(chuàng)智稱，此次與積塔半導(dǎo)體正式簽署戰(zhàn)略合作，進(jìn)一步拉通了第三代半導(dǎo)體上下游資源，為中汽創(chuàng)智穩(wěn)步實(shí)施虛擬IDM戰(zhàn)略，實(shí)現(xiàn)車規(guī)級(jí)芯片自主研發(fā)和制造奠定堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。


未來(lái)，中汽創(chuàng)智自主研發(fā)的1200V 40mΩ及80mΩ SiC MOSFET等產(chǎn)品將陸續(xù)與積塔半導(dǎo)體進(jìn)行深度合作。中汽創(chuàng)智與積塔半導(dǎo)體等汽車芯片產(chǎn)業(yè)鏈優(yōu)質(zhì)資源將始終堅(jiān)持強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)合、優(yōu)勢(shì)互補(bǔ)，以追求、引領(lǐng)行業(yè)趨勢(shì)為發(fā)展方向，加速實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)芯片的戰(zhàn)略目標(biāo)。


資料顯示，中汽創(chuàng)智由中國(guó)一汽、東風(fēng)公司、南方工業(yè)集團(tuán)、長(zhǎng)安汽車和南京江寧經(jīng)開(kāi)科技共同出資設(shè)立。


而積塔半導(dǎo)體在中國(guó)（上海）自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)臨港新片區(qū)和徐匯區(qū)建有兩個(gè)廠區(qū)，已建和在建產(chǎn)能共計(jì)28萬(wàn)片/月（折合8英寸計(jì)算），其中6英寸7萬(wàn)片/月、8英寸11萬(wàn)片/月、12英寸5萬(wàn)片/月、SiC 3萬(wàn)片/月。


積塔半導(dǎo)體是國(guó)內(nèi)較早具備SiC功率器件制造能力的企業(yè)，工藝技術(shù)平臺(tái)覆蓋JBS和MOSFET等，已建成自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的車規(guī)級(jí)650V/750V/1200V SiC JBS工藝平臺(tái)、650V/750V/1200V SiC MOSFET工藝平臺(tái)。