在推動先進半導體制程工藝上，CUP芯片等高性能計算芯片和內存芯片是兩大主力驅動力。從28nm-14nm-7nm-5nm,讓代工廠或IDM不斷投資興建更高工藝晶圓廠的動力也來自這些產品的主要客戶。而這其中，進入到7nm節點后，光刻機也不得不升級到EUV（極紫外）光刻機類型。

據韓國媒體報道，全球第二大DRAM內存供應商SK海力士已經在研發1a nm工藝的內存，內部代號“南極星”，具體節點大概在15nm，預計會引入EUV光刻機生產。

對內存來說，它跟CPU邏輯工藝一樣面臨著需要微縮的問題，EUV光刻機可以減少多重曝光工藝，提供工藝精度，從而可以減少生產時間、降低成本，并提高性能。

不過內存使用EUV工藝問題也不少，首要問題就是EUV光刻機售價太高，10億一臺，還要考慮到維護費用，所以初期要承擔不小的成本壓力。

目前SK海力士最先進的內存工藝主要是1y、1z nm，今年下半年這兩種工藝將占到40%的產能比重。

3月初，三星表示，將從第四代10nm級(D1a)DRAM或高端級14nm級DRAM開始全面導入EUV，明年基于D1a大規模量產DDR5和LPDDR5內存芯片，預計會使12英寸晶圓的生產率翻番。