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據(jù)E報道，三星電子設(shè)備解決方案業(yè)務(wù)部代工業(yè)務(wù)總裁兼總經(jīng)理 Siyoung Choi 博士表示，隨著兩家公司推出下一代 2 納米半導(dǎo)體制造工藝，它可以在五年內(nèi)擊敗臺積電 (TSMC)。
據(jù)EDN了解，三星此前的目標是在 2023 年采用全柵 (GAA) 晶體管用于領(lǐng)先的半導(dǎo)體節(jié)點 3 納米工藝，從而縮小與臺灣公司之間的技術(shù)差距。
據(jù)Choi 分享說，目前臺積電在芯片制造方面遠遠領(lǐng)先于三星。他認為三星需要五年時間才能趕上并擊敗臺積電，盡管這兩家公司目前都在生產(chǎn) 3 納米半導(dǎo)體。雖然這些技術(shù)的營銷名稱可能相似，但它們在設(shè)計上卻大不相同，因為三星利用更新的 GAA 技術(shù)制造晶體管，而臺積電則依賴久經(jīng)考驗的 FinFET 模型。
Choi 認為，GAA的使用至關(guān)重要，因為他認為三星的4納米技術(shù)比臺積電落后兩年，而3納米技術(shù)則落后一年。據(jù)他說，當(dāng)臺積電轉(zhuǎn)向 2 納米工藝時，情況將會發(fā)生變化。這是因為臺積電計劃從 2 納米節(jié)點開始使用 GAA 晶體管，而三星已經(jīng)擁有使用 3 納米技術(shù)工藝制造芯片的經(jīng)驗。
三星社長同樣也評論了三星代工和臺積電的技術(shù)水平?！澳壳埃堑?4nm 技術(shù)落后臺積電大約兩年，3nm 大約落后一年，但當(dāng)臺積電進入 2nm 時，這種情況就會改變，”Kyung 先生說。據(jù)了解，三星的3納米（nm）GAA 技術(shù)采用了寬通道的納米片，與采用窄通道納米線的GAA 技術(shù)相比能提供更高的性能和能耗比。3納米GAA 技術(shù)上， 三星能夠調(diào)整納米晶體管的通道寬度，優(yōu)化功耗和性能，從而能夠滿足客戶的多元需求。此外，GAA 的設(shè)計靈活性對設(shè)計技術(shù)協(xié)同優(yōu)化(DTCO) [2]非常有利，有助于實現(xiàn)更好的PPA 優(yōu)勢。與5納米（nm）工藝相比，第一代3納米（nm）工藝可以使功耗降低45%，性能提升23%，芯片面積減少16%；而第二代3納米（nm）工藝則使功耗降低50%，性能提升30%，芯片面積減少 35%。
三星通過 GAA 制造芯片所獲得的經(jīng)驗將使其能夠在五年內(nèi)超越臺積電。這個結(jié)論是基于臺積電在向新技術(shù)過渡時會遇到困難的假設(shè)。臺積電的目標是在 2025 年生產(chǎn)采用先進技術(shù)制造的芯片，三星也有類似的時間表。
這位三星高管不僅對其公司的新芯片制造技術(shù)持樂觀態(tài)度，而且他還相信三星的內(nèi)存部門將在人工智能競賽中比 NVIDIA 的圖形處理單元 (GPU) 更為關(guān)鍵。
對于美國限制在中國開設(shè)新芯片工廠作為通過 CHIPS 法案獲得資金的條件，蔡博士認為，雖然這些政策具有限制性，但不會影響其公司的整個芯片制造業(yè)務(wù)。