SiC材料由于具有高硬度、耐熱性和耐高壓能力，可實現高效率和穩健的功率半導體，越來越廣泛被應用于太陽光電(PV)、工業電源和電動車(EV)的充電基礎設施。然而，SiC仍存在生產瓶頸尚未解決、原料晶柱質量不穩定導致良率問題以及SiC組件的成本過高等挑戰，使得SiC市場仍面臨巨大的產能缺口。

碳化硅(SiC)芯片經常出現在媒體報導中，這一事實充份預告著這種寬能隙(wide bandgap；WBG)半導體材料已經認證，可望成為打造更小、更輕且更高效的電力電子組件之顛覆性半導體技術。
意法半導體(STMicroelectronics；ST)宣布開始在其最近收購的瑞典Norrk?ping廠生產200mm SiC晶圓，以用于功率組件的原型設計。這是意法半導體目前在其于意大利卡塔尼亞(Catania)和新加坡宏茂橋(Ang Mo Kio)的兩條150mm晶圓產線生產大量STPOWER SiC產品之外的重大轉變。
2019年，意法半導體以近1.375億美元完成對瑞典SiC晶圓制造商Norstel AB的收購。雖然意法半導體持續其生產150mm裸晶和外延SiC晶圓，但這筆交易顯然針對的是200mm晶圓生產的研發。更先進、更具成本效益的200mm SiC量產，將有助于推動意法半導體為汽車和工業設計制造MOSFET和二極管。
盡管如此，為了加強SiC供應鏈，在此SiC功率組件成長時期，意法半導體也與Cree簽署晶圓供應協議。意法半導體將持續采用Cree的150mm SiC裸晶和外延晶圓，用于打造汽車和工業應用所需的功率組件。今年初，意法半導體并與SiCrystal簽署類似的多年供應協議，以加碼超過1.2億美元的先進150mm SiC晶圓供應。SiCrystal是一家總部位于德國紐倫堡的ROHM子公司，專注于SiC晶圓制造多年。
另一家歐洲芯片制造商英飛凌科技(Infineon Technologies)繼收購Cree的Wolfspeed業務后，日前并與日本晶圓制造商昭和電工株式會社(Showa Denko K.K.)洽談SiC材料和外延技術。據英飛凌工業電源控制事業部總裁Peter Wafer表示，未來五年，基于SiC的半導體預計將以每年30%至40%的速度成長。
SiC材料由于具有高硬度、耐熱性和耐高壓能力，可實現高效率和穩健的功率半導體，越來越廣泛被應用于太陽光電(PV)、工業電源和電動車(EV)的充電基礎設施。然而，SiC仍存在生產瓶頸尚未解決、原料晶柱質量不穩定導致良率問題以及SiC組件的成本過高等挑戰，使得SiC市場仍面臨巨大的產能缺口。
盡管如此，晶圓供應對于芯片業從硅過渡到SiC半導體組件至關重要。業界多起晶圓收購與交易與合作協議，充份展現芯片制造商如何透過內部和外部資源以因應市場需求，并進一步推動SiC半導體的規模經濟。