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封裝過程是制造半導體的后道工序，其順序是研磨、切割、貼片、線接、成型。這些工序的順序可以根據封裝技術的變化而變化，也可以相互緊密聯系或合并。本文主要介紹晶圓鍵合，這是一種封裝技術，用于在切割過程后將從晶圓分離的芯片與封裝基板(引線框架或PCB)進行接合。  

在半導體工藝中，“鍵合”是指將晶圓芯片連接到襯底上。粘接可分為兩種類型，即傳統方法和先進方法。傳統的方法包括晶片連接(或晶片連接)和電線連接，而先進的方法包括IBM在60年代末開發的倒裝芯片連接。倒裝芯片鍵合是一種結合了模具鍵合和導線鍵合的方法，是通過在芯片襯墊上形成凸起來連接芯片和襯底的方法。

就像發動機安裝在汽車上以提供動力一樣，通過將半導體芯片粘接在引線框架或印刷電路板(PCB)上，將芯片與外部連接起來。芯片粘接后，應能承受封裝后產生的物理壓力，并能散發芯片工作時產生的熱量。必要時，它必須保持恒定的導電或實現高水平的絕緣。因此，隨著芯片變得越來越小，鍵合方法變得越來越重要。  

對于芯片粘合，首先要做的是在封裝基板上涂布粘合劑。然后，在上面放一個芯片，引腳面朝上。相反，在倒裝芯片鍵合的情況下，這是一種更先進的方法，稱為焊料球的小凸起附著在芯片的襯墊上。然后，將芯片放置在基板上，引腳面朝下。在這兩種方法中，組裝的單元通過一個溫度回流的通道，該通道可以隨著時間的推移調節溫度以熔化粘合劑或焊料球。然后，將其冷卻以將芯片(或凸起)固定在基板上。
單獨地取出附著在膠帶上的芯片被稱為“Pick”。當用柱塞從晶圓片中取出好的芯片時，將它們放置在封裝基板表面稱為“Place”。這兩項被稱為“Pick & Place”的任務是在貼片機（Die Bonde)上完成的。芯片粘接好后，未拆下的壞片保留在膠帶上，在框架回收時全部丟棄。在這個過程中，通過在Mapping Table2中輸入晶圓測試結果(Go / No Go)來對好的芯片進行排序。 
每一個芯片都要被單獨分離，并以較弱的附著力粘在切片膠帶上。這時，要把水平放置在膠帶上的芯片一個接一個地撿起來就不那么容易了。這是因為即使用真空吸取器拉起它也不容易脫落，如果強行拔出，它會對芯片造成物理損傷。

因此，使用一種容易拾取芯片的方法：“彈射”。其中使用頂出器對目標芯片施加物理力，使其與其他芯片產生輕微的步長差異。將芯片從底部彈出后，用真空帶柱塞從上面拉起芯片。同時，用真空拉住膠帶的底部，使膠帶面平整。   當粘接芯片時，通過使用焊料或含有金屬的膏體(Power Tr)連接，或聚合物(聚酰亞胺)也可用于芯片粘合。在高分子材料中，含銀的膏狀或液態環氧樹脂相對容易使用，使用頻率較高。  
當使用環氧樹脂進行芯片粘合時，通過點膠將非常少量的環氧樹脂精確地涂在基材上。在其上放置芯片后，環氧樹脂通過回流或固化在150至250°C下硬化，以便將芯片和基材粘合在一起。此時，如果所涂環氧樹脂的厚度不恒定，則可能由于熱膨脹系數的差異而發生引起彎曲或變形的翹曲。由于這個原因，雖然當環氧樹脂用量較少時更有利，但只要使用環氧樹脂，任何形式的翹曲都會發生。

這就是為什么最近使用更先進的粘合方法：模貼膜(DAF)的原因。雖然DAF有一些昂貴和難以處理的缺點，但它很容易涂抹一定的量，簡化了過程，因此它的使用量逐漸增加。

DAF是一種附著在芯片底部的薄膜。DAF的厚度可以調整到非常薄且恒定的厚度。它不僅廣泛用于芯片與襯底的鍵合，還廣泛用于芯片與芯片的鍵合，以創建多芯片封裝(MCP)。從切片芯片的結構來看，位于芯片底部的DAF是粘芯片的，而切片膠帶則是粘在其下方的DAF，附著力較弱。為了在這種結構中進行芯片粘合，在將芯片和DAF從膠帶上取下后，芯片直接放置在基板上，而不使用環氧樹脂。由于在這個過程中可以跳過點膠程序，所以環氧樹脂的劣勢沒有帶入，取而代之的是DAF的性能。

使用DAF時，一些空氣可以穿透薄膜，引起薄膜變形等問題。特別是，處理DAF的設備需要高精度。然而，使用DAF是主要原因，因為它可以減少缺陷率，提高生產率，因為它簡化了過程，增加了厚度的均勻性。

根據所基于的基板類型(引線框架或PCB)，進行芯片鍵合的方向變化很大。長期以來，基于pcb的基板被頻繁使用，因為它可以批量生產小尺寸的封裝。因此，隨著粘接技術的多樣化，烘烤膠粘劑的溫度分布也在不斷發展。有代表性的粘接方法有熱壓縮或超聲波粘接。隨著封裝不斷向超薄類型發展，集成程度不斷提高，封裝技術也在多樣化。