重大進展！我國實現(xiàn)晶圓級Si-GaN單片異質(zhì)集成共源共柵晶體
2020-8-8 18:21:46??????點擊：
近日，西安電子科技大學(xué)微電子學(xué)院關(guān)于硅與氮化鎵異質(zhì)集成芯片論文在國際半導(dǎo)體器件權(quán)威期刊IEEE Transactions on Electron Devices上發(fā)表。
圖片來源：西安電子科技大學(xué)新聞網(wǎng)
據(jù)悉，郝躍院士團隊提出了一種轉(zhuǎn)印和自對準刻蝕方法，并首次實現(xiàn)了晶圓級的Si-GaN單片異質(zhì)集成的共源共柵晶體管。這項技術(shù)和方法有望實現(xiàn)多種材料的大規(guī)模異質(zhì)集成并基于此制造功能多樣化的器件和電路，避免了昂貴且復(fù)雜的材料異質(zhì)共生技術(shù)或晶圓鍵合工藝。通過轉(zhuǎn)印和自對準刻蝕的新技術(shù)，使得硅器件與氮化鎵器件的互連距離縮短至100μm以下，僅為傳統(tǒng)鍵合線長度的5%。
據(jù)估算，新型的共源共柵晶體管可以比傳統(tǒng)鍵合方法減少98.59%的寄生電感。Si-GaN單片異質(zhì)集成的共源共柵晶體管的閾值電壓被調(diào)制為2.1V，實現(xiàn)了增強型器件。該器件柵壓擺幅在柵漏電低于10-5mA/mm的范圍內(nèi)達到了±18V。經(jīng)過大量器件測試和可靠性試驗后，芯片之間的性能具有良好的一致性，這充分證明了轉(zhuǎn)印和自對準刻蝕技術(shù)實現(xiàn)晶圓級單片集成共源共柵晶體管的巨大潛力和優(yōu)勢。
據(jù)西安電子科技大學(xué)新聞網(wǎng)報道，此次是西安電子科技大學(xué)團隊首次實現(xiàn)了晶圓級硅與氮化鎵單片異質(zhì)集成的增強型共源共柵晶體管,取得了硅和氮化鎵晶圓級單片異質(zhì)集成新突破。該新技術(shù)避免了昂貴復(fù)雜的異質(zhì)材料外延和晶圓鍵合的傳統(tǒng)工藝技術(shù)，有望成為突破摩爾定律的一條有效技術(shù)路徑。
關(guān)鍵字：Si-GaN 異質(zhì)集成
圖片來源：西安電子科技大學(xué)新聞網(wǎng)
據(jù)悉，郝躍院士團隊提出了一種轉(zhuǎn)印和自對準刻蝕方法，并首次實現(xiàn)了晶圓級的Si-GaN單片異質(zhì)集成的共源共柵晶體管。這項技術(shù)和方法有望實現(xiàn)多種材料的大規(guī)模異質(zhì)集成并基于此制造功能多樣化的器件和電路，避免了昂貴且復(fù)雜的材料異質(zhì)共生技術(shù)或晶圓鍵合工藝。通過轉(zhuǎn)印和自對準刻蝕的新技術(shù)，使得硅器件與氮化鎵器件的互連距離縮短至100μm以下，僅為傳統(tǒng)鍵合線長度的5%。
據(jù)估算，新型的共源共柵晶體管可以比傳統(tǒng)鍵合方法減少98.59%的寄生電感。Si-GaN單片異質(zhì)集成的共源共柵晶體管的閾值電壓被調(diào)制為2.1V，實現(xiàn)了增強型器件。該器件柵壓擺幅在柵漏電低于10-5mA/mm的范圍內(nèi)達到了±18V。經(jīng)過大量器件測試和可靠性試驗后，芯片之間的性能具有良好的一致性，這充分證明了轉(zhuǎn)印和自對準刻蝕技術(shù)實現(xiàn)晶圓級單片集成共源共柵晶體管的巨大潛力和優(yōu)勢。
據(jù)西安電子科技大學(xué)新聞網(wǎng)報道，此次是西安電子科技大學(xué)團隊首次實現(xiàn)了晶圓級硅與氮化鎵單片異質(zhì)集成的增強型共源共柵晶體管,取得了硅和氮化鎵晶圓級單片異質(zhì)集成新突破。該新技術(shù)避免了昂貴復(fù)雜的異質(zhì)材料外延和晶圓鍵合的傳統(tǒng)工藝技術(shù)，有望成為突破摩爾定律的一條有效技術(shù)路徑。
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