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上月，由于存在國家安全風險，美光科技生產的產品在中國被禁止銷售。中國網絡安全審查辦公室表示，“美光公司的產品對中國關鍵信息基礎設施供應鏈造成重大安全風險，影響國家安全”。


正如我們所知，美光與三星和SK海力士是主要的DRAM和NAND廠商之一。事實上，中國是美光的主要市場之一，占其全年銷售額的10%左右。2022年，美光公布的總收入為307億美元，其中33億美元(10.7%)來自中國。
在這種情況下，中國的DRAM和NAND存儲芯片/服務器/AIoT需求可能會由三星，SK海力士以及中國公司如長江存儲, 長鑫存儲，中芯國際，華為，浪潮，宇視，?？低暎滓讋?chuàng)新和光威等中國國內公司提供。
至于NAND領軍企業(yè)之一的長江存儲，?？低旽iksemi CC700 PCIe 4.0 2TB固態(tài)硬盤中使用了長江存儲近期發(fā)布的232L Xtacking3.0 TLC芯片。比特密度（15.0 Gb/mm2）比之前的128L Xtacking2.0 TLC芯片增加了76%，這是迄今為止最高的比特密度。他們現(xiàn)在正在提高產品產量，并在現(xiàn)有設備和基礎設施的基礎上開發(fā)n+1和n+2代(>300L)。
中國DRAM企業(yè)長鑫存儲也推出了20nm級(D/R=23.8nm) DDR4和LPDDR4X產品，以及D1x(可能采用19nm D/R)樣品產品。他們正在為DDR5和LPDDR5/5X應用開發(fā)n+1 (D1y)和n+2 (D1z)代。
美國工業(yè)和安全局(BIS)對華限制：
(1)采用16nm或14nm及以下非平面FinFET或GAAFET晶體管結構的邏輯芯片；
(2)半間距小于等于18nm的DRAM存儲芯片；
(3) 128層及以上的NAND閃存芯片。
由于這些限制，長江存儲和長鑫存儲在開發(fā)新產品或擴展新的HVM晶圓廠方面面臨挑戰(zhàn)。盡管如此，至少在兩年內，它們都可能有能力開發(fā)下一代D1y DRAM和3xxL NAND器件。然而，新的晶圓廠和新的半導體工具最終是DRAM和NAND產品微縮和提升的必要條件。如果2025年或2026美國的制裁仍在繼續(xù)，且如果屆時國內設備供應鏈不夠，這兩家公司可能將停止進一步的研發(fā)活動。
三星和SK海力士在這方面怎么樣？中美之間緊張的地緣政治局勢可能會影響三星和SK海力士的近期和長期存儲業(yè)務計劃，特別是在中國和針對中國的業(yè)務規(guī)劃。去年，三星在中國的收入(242億美元)幾乎是SK海力士(125億美元)的兩倍。他們可能很快就會從中國對美光的禁令中受益，然而，這很復雜，也很難確定，因為他們都在中國有多家存儲制造工廠。例如，三星在西安運營著兩家NAND晶圓廠，SK海力士的無錫工廠負責該公司約一半的DRAM生產，約占全球市場份額的15%。
由于美國的制裁，三星和SK海力士可能會更多地關注傳統(tǒng)工藝消費級DRAM和NAND市場，如D1y而不是D1z和D1a的DDR3和DDR4 DRAM，以及128L而不是176L的NAND，以滿足中國國內的需求，這意味著沒有更多的設備或晶圓廠投資?；蛘?，如果未來晶圓廠的管理、維護和擴建受到限制，他們最終可能會考慮將自己的晶圓廠出售給中國。在這種情況下，他們也許會改變未來在存儲業(yè)務上的投資計劃/戰(zhàn)略，包括在韓國或其他國家(如美國和日本)新建晶圓廠和研發(fā)中心。
現(xiàn)在來自美國的壓力非常大。雖然三星和SK海力士從美國獲得了一年的寬限期，但今年在中國的存儲收入可能會下降。在這一點上，他們都處于兩難境地。如果它們增加在中國的銷量，可能會影響它們與美國的關系。相反，如果他們跟隨美國，他們可能會受到中國的反擊；美國可能會在未來要求更多。
對中國而言，尤其是在未來幾年內，國內芯片工具制造商和供應商如北方華創(chuàng)科技等公司需要加大投資力度，加快開發(fā)先進的半導體工具，以支持存儲和晶圓代工廠應對美國制裁的要求，這是一個事實。具有諷刺意味的是，由于美國的限制，中國國內半導體工具行業(yè)未來的增長速度可能比其他任何地方都快。