3D NAND進展更新：三星、SK海力士、長江存儲…
2023-8-17 11:46:06??????點擊：
三星于2022年11月7日宣布了236層TLC量產里程碑。
SK海力士在2023年6月8日宣布了238層TLC量產里程碑。
Solidigm 192層QLC部署在D5-P5430數據中心SSD中。192-L 1.33 Tb QLC芯片的位密度為18.9Gb/mm2。在ISSCC 2023中提到，192-L 1.33 Tb QLC芯片比特密度為18.6Gb/mm2，基于73.3mm2的芯片尺寸。
鎧俠/西數硬盤(WD) 218層TLC /QLC(BiCS8)于2023年3月30日發布。混合鍵合，稱為“CMOS直接鍵合到陣列”(CBA)將被使用。在VLSI 2023 C2-1中，對于21x-Layer 1 Tb TLC芯片，比特密度超過17Gb/mm2。在VLSI 2023 T7-1中，金屬誘導橫向結晶(MILC)用于實現超過14μm (320 WL)的完全單晶通道。BG6 (162-L, BiCS6) 1TB和2TB固態硬盤已于2023年5月23日發布。
美光陸續推出更多具有232層TLC的產品。UFS 4.0目前正在認證中。232層TLC AME目前已完成。觀察結果包括采用四個子塊而不是兩個子塊，去除細胞膜的橫向ONO，并確認垂直通道(VC)著陸塞。
長江存儲128層QLC MFR已完成。12Gb/mm2的比特密度高于三星、SK海力士、美光等176層TLC產品的比特密度(10~11gb/mm2)。長江存儲232層TLC比特密度為15Gb/mm2。
SK海力士在2023年6月8日宣布了238層TLC量產里程碑。
Solidigm 192層QLC部署在D5-P5430數據中心SSD中。192-L 1.33 Tb QLC芯片的位密度為18.9Gb/mm2。在ISSCC 2023中提到，192-L 1.33 Tb QLC芯片比特密度為18.6Gb/mm2，基于73.3mm2的芯片尺寸。
鎧俠/西數硬盤(WD) 218層TLC /QLC(BiCS8)于2023年3月30日發布。混合鍵合，稱為“CMOS直接鍵合到陣列”(CBA)將被使用。在VLSI 2023 C2-1中，對于21x-Layer 1 Tb TLC芯片，比特密度超過17Gb/mm2。在VLSI 2023 T7-1中，金屬誘導橫向結晶(MILC)用于實現超過14μm (320 WL)的完全單晶通道。BG6 (162-L, BiCS6) 1TB和2TB固態硬盤已于2023年5月23日發布。
美光陸續推出更多具有232層TLC的產品。UFS 4.0目前正在認證中。232層TLC AME目前已完成。觀察結果包括采用四個子塊而不是兩個子塊，去除細胞膜的橫向ONO，并確認垂直通道(VC)著陸塞。
長江存儲128層QLC MFR已完成。12Gb/mm2的比特密度高于三星、SK海力士、美光等176層TLC產品的比特密度(10~11gb/mm2)。長江存儲232層TLC比特密度為15Gb/mm2。
TEL在VLSI 2023 T3-2中展示了新的存儲孔刻蝕化學冷凍工藝(刻蝕速率為504nm/min)，可在32.8分鐘內刻蝕10μm的模具SiO/SiN。
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