AMR角度傳感器
2020-8-3 14:51:41??????點擊：
在當今的位置檢測技術(shù)中，各向異性磁阻(AMR)薄膜材料變得日益重要。相比傳統(tǒng)技術(shù)，磁阻(MR)位置測量具有多種優(yōu)勢?？煽啃?、精度和整體魯棒性是推動磁阻檢測技術(shù)快速發(fā)展的主要因素。低成本、相對較小的尺寸、非接觸式操作、寬溫度范圍、對灰塵和光的不敏感性、寬磁場范圍，這些特性共同造就出一種魯棒的傳感器設(shè)計。
MR效應(yīng)指某種材料隨外加磁場的方向或幅度而改變其電阻的能力。AMR材料有兩個不同的操作區(qū)間，即高場強區(qū)和低場強區(qū)。本應(yīng)用筆記將討論高場強應(yīng)用，當外加磁場遠遠大于傳感器的內(nèi)部磁場時，我們就說該傳感器處于飽和工作狀態(tài)。在這種工作模式下，電阻的改變僅僅取決于磁場方向而非施加的磁場強度。受AMR薄膜性質(zhì)影響，材料的電阻變化在兩個相反磁場方向下是相等的，即是說，傳感器本身無法區(qū)分北磁極和南磁極。因此，對應(yīng)單個旋轉(zhuǎn)偶極磁體的輸出信息會在整個機械旋轉(zhuǎn)過程中重復(fù)兩次。這種效應(yīng)使測量范圍限制到180°。電阻變化可由下式來模擬：
其中：
R為傳感器電阻。
R0為未激勵傳感器電阻。
ΔR0為傳感器電阻的變化。
一般地，對于AMR傳感器來說，ΔR0約為電橋總電阻的3%。由于電阻變化極小，因此，需要用一個儀表放大器，把輸出信號進一步放大到相對于電源電壓的可用值。
MR效應(yīng)指某種材料隨外加磁場的方向或幅度而改變其電阻的能力。AMR材料有兩個不同的操作區(qū)間，即高場強區(qū)和低場強區(qū)。本應(yīng)用筆記將討論高場強應(yīng)用，當外加磁場遠遠大于傳感器的內(nèi)部磁場時，我們就說該傳感器處于飽和工作狀態(tài)。在這種工作模式下，電阻的改變僅僅取決于磁場方向而非施加的磁場強度。受AMR薄膜性質(zhì)影響，材料的電阻變化在兩個相反磁場方向下是相等的，即是說，傳感器本身無法區(qū)分北磁極和南磁極。因此，對應(yīng)單個旋轉(zhuǎn)偶極磁體的輸出信息會在整個機械旋轉(zhuǎn)過程中重復(fù)兩次。這種效應(yīng)使測量范圍限制到180°。電阻變化可由下式來模擬：
其中：
R為傳感器電阻。
R0為未激勵傳感器電阻。
ΔR0為傳感器電阻的變化。
一般地，對于AMR傳感器來說，ΔR0約為電橋總電阻的3%。由于電阻變化極小，因此，需要用一個儀表放大器，把輸出信號進一步放大到相對于電源電壓的可用值。
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