年產12英寸大硅片360萬片！
2023-10-9 11:47:22??????點擊：
10月5日，浙江麗水經濟技術開發區披露其重大項目建設進展。半導體大硅片/功率晶圓制造項目在列。
總投資約120億元的富樂德半導體產業項目，主要建設12英寸拋光片項目和傳感器、功率器件等半導體項目。目前在建的首期項目建成后，將形成年產360萬片12英寸半導體拋光片的生產能力，產品具有代替進口產品等特點，據此前報道，預計可實現年產值22億元。首期項目負責人馮濤介紹，該項目于今年7月開始建設，首期項目的主體單體結構計劃于今年年底封頂，項目預計明年8月竣工。
此外，總投資50億元的浙江旺榮半導體有限公司8英寸功率器件項目，總用地面積102畝，分為兩期建設，全部達成后將實現年產72萬片8英寸功率器件芯片。目前在建的一期項目年產24萬片8英寸功率器件半導體項目入選2023年省重大產業項目名單，于去年8月開工，現已進入建設收尾階段。該公司廠務企劃經理尹新哲介紹，工程師和施工人員正在對潔凈廠房、機電等進行最后的監測和調試，廠區道路也正在硬化，已經有一半的生產設備進駐廠房。
富樂德上下游項目均進展順利，SiC產線填補國內空白
今年2月，富樂德半導體產業項目簽約經開區，總投資約120億元，總用地約400畝，主要建設12英寸拋光片項目和傳感器、功率器件等半導體項目，2023年度計劃投資10億元。今年3月份首期用地成功摘牌。
除12英寸硅拋光片項目外，傳感器子項目總投資20億元，主要建設溫度傳感器制品生產線，產品將應用于無人駕駛汽車、工業和醫療等領域，已于今年8月4日正式簽約。
除麗水經濟開發區項目，浙江富樂德半導體材料有限公司在國內還建設了一條化學氣相沉積制備碳化硅產線，填補國內空白。
今年8月3日，位于衢州市常山縣的浙江大和半導體產業園三期建設項目竣工儀式舉行。三期建設項目由浙江盾源聚芯半導體科技有限公司和浙江富樂德半導體材料科技有限公司投資建設，總投資近20億元。浙江盾源聚芯半導體科技有限公司將導入高純硅部件項目，為不斷增長的國產化半導體裝備需求提供支持。浙江富樂德半導體材料科技有限公司將導入高純氧化鋁及化學氣相沉積碳化硅產品生產線，氧化鋁產品具備優異的耐高溫、抗氧化、耐腐蝕、耐磨耗、高導熱、高絕緣性等特點，被廣泛運用于半導體、LED液晶顯示、激光、醫療設備等高精尖領域。其中，根據環評報告顯示，CVD制備SiC項目將形成集材料燒結、材料制備加工洗凈為一體的生產線，最終形成年產96000件套產品的規模。
氣相沉積碳化硅以優異的導熱性、高溫穩定性、高電場承受力以及機械性能而在半導體行業得到廣泛應用，如封裝材料，如MOSFET、IGBT等的基板或襯底材料等等，可有效提升半導體功率器件的穩定性和可靠性。但氣相沉積碳化硅的制備工藝流程復雜，設備成本高昂，規?；a穩定性的控制對專業技術挑戰很大，這都使得國內在該領域長期處于空白。富樂德母公司Ferrotec（日本磁性技術控股股份有限公司）集團在氣相碳化硅領域擁有30年的技術積淀，其獨有的CVD法的SiC成膜技術，可提供低成本且高性能的產品，具有超高純度、高耐腐蝕性、高抗氧化性、高耐熱性、高耐磨性等特點。
據了解，項目全部滿產后，浙江大和半導體產業園將實現年產值近50億元，成為集高純石英部件、精密半導體金屬部件、熱電半導體制冷器件、高純硅部件、化學氣相沉積碳化硅，精密半導體陶瓷產品的生產、研發、銷售為一體的全球半導體裝備核心零部件重要制造生產基地。
值得一提的是，富樂德母公司Ferrotec（中國）于1992年成立于浙江杭州，是一家由日本磁性技術控股有限公司在華設立的集產品研發、制造、銷售于一體的多元化企業，旗下管理的30多家公司遍布中國各地，為國內外客戶提供材料、器件、裝備和系統解決方案，以磁性流體技術和磁流體密封技術為基石，從事半導體硅片、熱電半導體致冷材料與器件、半導體石英制品、精密陶瓷制品、半導體真空傳動裝置及大型腔體、電子束蒸發鍍膜機、精密洗凈、覆銅陶瓷基板（DCB、AMB、DPC）、半導體裝備、單晶爐等產品的研發、制造和銷售。旗下包含已上市的安徽富樂德（半導體設備洗凈服務），以及正在申請上市的中欣晶圓（國內半導體大硅片產能領先廠商）等多家知名企業。
總投資約120億元的富樂德半導體產業項目，主要建設12英寸拋光片項目和傳感器、功率器件等半導體項目。目前在建的首期項目建成后，將形成年產360萬片12英寸半導體拋光片的生產能力，產品具有代替進口產品等特點，據此前報道，預計可實現年產值22億元。首期項目負責人馮濤介紹，該項目于今年7月開始建設，首期項目的主體單體結構計劃于今年年底封頂，項目預計明年8月竣工。
此外，總投資50億元的浙江旺榮半導體有限公司8英寸功率器件項目，總用地面積102畝，分為兩期建設，全部達成后將實現年產72萬片8英寸功率器件芯片。目前在建的一期項目年產24萬片8英寸功率器件半導體項目入選2023年省重大產業項目名單，于去年8月開工，現已進入建設收尾階段。該公司廠務企劃經理尹新哲介紹，工程師和施工人員正在對潔凈廠房、機電等進行最后的監測和調試，廠區道路也正在硬化，已經有一半的生產設備進駐廠房。
富樂德上下游項目均進展順利，SiC產線填補國內空白
今年2月，富樂德半導體產業項目簽約經開區，總投資約120億元，總用地約400畝，主要建設12英寸拋光片項目和傳感器、功率器件等半導體項目，2023年度計劃投資10億元。今年3月份首期用地成功摘牌。
除12英寸硅拋光片項目外，傳感器子項目總投資20億元，主要建設溫度傳感器制品生產線，產品將應用于無人駕駛汽車、工業和醫療等領域，已于今年8月4日正式簽約。
除麗水經濟開發區項目，浙江富樂德半導體材料有限公司在國內還建設了一條化學氣相沉積制備碳化硅產線，填補國內空白。
今年8月3日，位于衢州市常山縣的浙江大和半導體產業園三期建設項目竣工儀式舉行。三期建設項目由浙江盾源聚芯半導體科技有限公司和浙江富樂德半導體材料科技有限公司投資建設，總投資近20億元。浙江盾源聚芯半導體科技有限公司將導入高純硅部件項目，為不斷增長的國產化半導體裝備需求提供支持。浙江富樂德半導體材料科技有限公司將導入高純氧化鋁及化學氣相沉積碳化硅產品生產線，氧化鋁產品具備優異的耐高溫、抗氧化、耐腐蝕、耐磨耗、高導熱、高絕緣性等特點，被廣泛運用于半導體、LED液晶顯示、激光、醫療設備等高精尖領域。其中，根據環評報告顯示，CVD制備SiC項目將形成集材料燒結、材料制備加工洗凈為一體的生產線，最終形成年產96000件套產品的規模。
氣相沉積碳化硅以優異的導熱性、高溫穩定性、高電場承受力以及機械性能而在半導體行業得到廣泛應用，如封裝材料，如MOSFET、IGBT等的基板或襯底材料等等，可有效提升半導體功率器件的穩定性和可靠性。但氣相沉積碳化硅的制備工藝流程復雜，設備成本高昂，規?；a穩定性的控制對專業技術挑戰很大，這都使得國內在該領域長期處于空白。富樂德母公司Ferrotec（日本磁性技術控股股份有限公司）集團在氣相碳化硅領域擁有30年的技術積淀，其獨有的CVD法的SiC成膜技術，可提供低成本且高性能的產品，具有超高純度、高耐腐蝕性、高抗氧化性、高耐熱性、高耐磨性等特點。
據了解，項目全部滿產后，浙江大和半導體產業園將實現年產值近50億元，成為集高純石英部件、精密半導體金屬部件、熱電半導體制冷器件、高純硅部件、化學氣相沉積碳化硅，精密半導體陶瓷產品的生產、研發、銷售為一體的全球半導體裝備核心零部件重要制造生產基地。
值得一提的是，富樂德母公司Ferrotec（中國）于1992年成立于浙江杭州，是一家由日本磁性技術控股有限公司在華設立的集產品研發、制造、銷售于一體的多元化企業，旗下管理的30多家公司遍布中國各地，為國內外客戶提供材料、器件、裝備和系統解決方案，以磁性流體技術和磁流體密封技術為基石，從事半導體硅片、熱電半導體致冷材料與器件、半導體石英制品、精密陶瓷制品、半導體真空傳動裝置及大型腔體、電子束蒸發鍍膜機、精密洗凈、覆銅陶瓷基板（DCB、AMB、DPC）、半導體裝備、單晶爐等產品的研發、制造和銷售。旗下包含已上市的安徽富樂德（半導體設備洗凈服務），以及正在申請上市的中欣晶圓（國內半導體大硅片產能領先廠商）等多家知名企業。
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