預(yù)計第三代功率半導(dǎo)體2021年市場將突破10億美元
2020-7-21 10:33:38??????點(diǎn)擊：
Omdia稱，受電動汽車、電源和光伏逆變器的需求驅(qū)動，SiC和GaN功率半導(dǎo)體市場預(yù)計在2021年將突破10億美元。
Omdia表示，預(yù)計到2020年底，全球SiC和GaN功率半導(dǎo)體的銷售收入將從2018年的5.71億美元增至8.54億美元。
預(yù)計未來十年將以兩位數(shù)的年增長率增長，到2029年將超過50億美元。
SiC肖特基二極管已經(jīng)上市十多年了，近年來出現(xiàn)了SiC的MOSFET和JFET。
SiC功率模塊越來越方便，包括混合SiC模塊，包含帶Si-igbt的SiC二極管，以及包含sicmosfet的完整SiC模塊（帶或不帶SiC二極管）。
SiC MOSFET目前已有幾家公司開始提供。
包括650V、700V和900V SiC MOSFET的引入，與硅MOSFET開始競爭，同時供應(yīng)商之間的競爭加劇，導(dǎo)致2019年的平均價格下降，這也促進(jìn)了市場普及度的提高。
Omdia電力半導(dǎo)體的高級首席分析師Richard Eeden說：“價格下降最終將刺激SiC MOSFET技術(shù)的更快采用。”相比之下，GaN功率晶體管和GaN系統(tǒng)集成電路才剛剛在市場上出現(xiàn)。GaN是一種寬禁帶材料，具有與SiC相似的性能優(yōu)勢，但具有更高的成本降低潛力。這些價格和性能上的優(yōu)勢是可能的，因為GaN功率器件可以在硅或藍(lán)寶石襯底上生長，而硅襯底和藍(lán)寶石襯底比SiC要便宜。GaN晶體管現(xiàn)已上市，包括來自Power Integrations、Texas Instruments和Navitas Semiconductor等公司的GaN系統(tǒng)集成電路的銷售額預(yù)計將以更快的速度增長。”
Omdia說，到2020年底，SiC MOSFET預(yù)計將產(chǎn)生約3.2億美元的收入，與SiC的肖特基二極管市場一致。
從2021年起，SiC MOSFET將以略快的速度增長，成為最暢銷的分立SiC功率器件。同時，盡管SiC-JFET的可靠性、價格和性能都很好，但據(jù)預(yù)測，SiC-JFET的收入要比SiC-MOSFET少得多。
Eeden說：“終端用戶強(qiáng)烈喜歡非SiC MOSFET，因此SiC JFET似乎仍將是專業(yè)的利基產(chǎn)品。然而，SiC JFET的銷售額預(yù)計將以驚人的速度增長，盡管活躍的供應(yīng)商非常少。”
混合SiC功率模塊，結(jié)合Si-IGBT和SiC二極管，2019年的銷售額約為7200萬美元，而全SiC功率模塊在2019年產(chǎn)生約5000萬美元。
預(yù)計到2029年，全集成電路功率模塊將實(shí)現(xiàn)超過8.5億美元的收入，因為它們將是混合動力和電動汽車動力傳動系統(tǒng)逆變器的首選。相比之下，混合碳化硅功率模塊將用于光伏逆變器、不間斷電源系統(tǒng)和其他工業(yè)應(yīng)用。
Omdia稱，SiC和GaN功率器件目前已有數(shù)萬億小時的設(shè)備現(xiàn)場經(jīng)驗。無論是傳統(tǒng)供應(yīng)商還是新入者都正在通過JEDEC和AEC-Q101認(rèn)證，SiC和GaN器件似乎沒有任何意外的可靠性問題；事實(shí)上，它們通常比硅好。
SIC MOSFET和SIC JFET的工作電壓較低，如650V、800V和900V，使SiC在性能和價格上可以與傳統(tǒng)硅MOSFET競爭。
帶有GaN晶體管和GaN系統(tǒng)集成電路的產(chǎn)品也正在批量生產(chǎn)，特別是用于移動電話和筆記本電腦快速充電的USB C型電源適配器和充電器。此外，許多GaN設(shè)備由代工廠制造，在標(biāo)準(zhǔn)硅片上提供GaN外延晶體生長，隨著產(chǎn)量的增加，潛在的產(chǎn)能還可繼續(xù)擴(kuò)張。
關(guān)鍵字：SiC GaN 功率半導(dǎo)體
Omdia表示，預(yù)計到2020年底，全球SiC和GaN功率半導(dǎo)體的銷售收入將從2018年的5.71億美元增至8.54億美元。
預(yù)計未來十年將以兩位數(shù)的年增長率增長，到2029年將超過50億美元。
SiC肖特基二極管已經(jīng)上市十多年了，近年來出現(xiàn)了SiC的MOSFET和JFET。
SiC功率模塊越來越方便，包括混合SiC模塊，包含帶Si-igbt的SiC二極管，以及包含sicmosfet的完整SiC模塊（帶或不帶SiC二極管）。
SiC MOSFET目前已有幾家公司開始提供。
包括650V、700V和900V SiC MOSFET的引入，與硅MOSFET開始競爭，同時供應(yīng)商之間的競爭加劇，導(dǎo)致2019年的平均價格下降，這也促進(jìn)了市場普及度的提高。
Omdia電力半導(dǎo)體的高級首席分析師Richard Eeden說：“價格下降最終將刺激SiC MOSFET技術(shù)的更快采用。”相比之下，GaN功率晶體管和GaN系統(tǒng)集成電路才剛剛在市場上出現(xiàn)。GaN是一種寬禁帶材料，具有與SiC相似的性能優(yōu)勢，但具有更高的成本降低潛力。這些價格和性能上的優(yōu)勢是可能的，因為GaN功率器件可以在硅或藍(lán)寶石襯底上生長，而硅襯底和藍(lán)寶石襯底比SiC要便宜。GaN晶體管現(xiàn)已上市，包括來自Power Integrations、Texas Instruments和Navitas Semiconductor等公司的GaN系統(tǒng)集成電路的銷售額預(yù)計將以更快的速度增長。”
Omdia說，到2020年底，SiC MOSFET預(yù)計將產(chǎn)生約3.2億美元的收入，與SiC的肖特基二極管市場一致。
從2021年起，SiC MOSFET將以略快的速度增長，成為最暢銷的分立SiC功率器件。同時，盡管SiC-JFET的可靠性、價格和性能都很好，但據(jù)預(yù)測，SiC-JFET的收入要比SiC-MOSFET少得多。
Eeden說：“終端用戶強(qiáng)烈喜歡非SiC MOSFET，因此SiC JFET似乎仍將是專業(yè)的利基產(chǎn)品。然而，SiC JFET的銷售額預(yù)計將以驚人的速度增長，盡管活躍的供應(yīng)商非常少。”
混合SiC功率模塊，結(jié)合Si-IGBT和SiC二極管，2019年的銷售額約為7200萬美元，而全SiC功率模塊在2019年產(chǎn)生約5000萬美元。
預(yù)計到2029年，全集成電路功率模塊將實(shí)現(xiàn)超過8.5億美元的收入，因為它們將是混合動力和電動汽車動力傳動系統(tǒng)逆變器的首選。相比之下，混合碳化硅功率模塊將用于光伏逆變器、不間斷電源系統(tǒng)和其他工業(yè)應(yīng)用。
Omdia稱，SiC和GaN功率器件目前已有數(shù)萬億小時的設(shè)備現(xiàn)場經(jīng)驗。無論是傳統(tǒng)供應(yīng)商還是新入者都正在通過JEDEC和AEC-Q101認(rèn)證，SiC和GaN器件似乎沒有任何意外的可靠性問題；事實(shí)上，它們通常比硅好。
SIC MOSFET和SIC JFET的工作電壓較低，如650V、800V和900V，使SiC在性能和價格上可以與傳統(tǒng)硅MOSFET競爭。
帶有GaN晶體管和GaN系統(tǒng)集成電路的產(chǎn)品也正在批量生產(chǎn)，特別是用于移動電話和筆記本電腦快速充電的USB C型電源適配器和充電器。此外，許多GaN設(shè)備由代工廠制造，在標(biāo)準(zhǔn)硅片上提供GaN外延晶體生長，隨著產(chǎn)量的增加，潛在的產(chǎn)能還可繼續(xù)擴(kuò)張。
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