一、特性

1、低待機電流 (小于 0.1uA)
2、低導通內阻 MOSFET 功率開關管

— 采用 MOS 工藝設計功率管

— 1 通道 1.6 安功率管內阻 0.32 歐姆

— 2 通道 1.6 安功率管內阻 0.32 歐姆

3、內部集成續流二極管

— 無需外接續流二極管

4、較小的輸入電流

— 集成約 15K 對地下拉電阻

— 3V 驅動信號平均 190uA 輸入電流

5、內置帶遲滯效應的過熱保護電路 (TSD)

6、抗靜電等級：3KV (HBM）

二、概述
該產品采用H橋電路結構設計，采用高可靠性功率管工藝，特別適合驅動線圈、馬達等感性負載。電路內部集成N溝道和P溝道功率MOSFET，工作電壓范圍覆蓋2V到8V。27℃，VDD=6.5V，兩個通道同時工作的條件下，1通道持續輸出電流達到1.2A，峰值輸出電流達到2.5A；2通道持續輸出電流達到1.2A，峰值輸出電流達到2.5A。
該電路為功率器件，本身具備一定內阻，電路的發熱與負載電流、功率管導通內阻以及環境溫度密切相關。電路設計有芯片級溫度檢測電路，實時
監控芯片內部發熱，當芯片內部溫度超過設定值時，產生功率管關斷信號，關閉負載電流，避免因異常使用導致的溫度持續升高，進而造成塑料封裝冒煙、起火等嚴重事故。芯片內置的溫度遲滯電路，確保電路恢復到安全溫度后，才允許重新對功率進行控制。
三、應用范圍
2-5節 AA/AAA 干電池供電的玩具馬達驅動
2-5節鎳-氫/鎳-鎘充電電池供電的玩具馬達驅動
1節鋰電池供電的馬達驅動

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