信息化時代，手機等電子產品全面普及，伴隨網絡生活節奏加快，手機電池容量逐漸加大，消費者迫切需要實現電子產品快速充電，快速充電器的發展和普及緩解了消費者充電的煩惱。實現快速充電則需要提高充電功率，增加面積。充電器作為移動電子設備配件，體積需要小型化以方便隨身攜帶，與電源效率、溫升產生了矛盾。這就催動中低壓MOSFET（BVDSS:60V-100V）同步整流電路，解決大功率，小面積，高效率，低溫升等問題。
為了順應市場發展規律，真茂佳采用新型電荷平衡技術，成功設計出性能優秀的低壓SpeedFET。相比于傳統TRENCH-MOSFET，SpeedFET的開關速度更快，開關損耗更低，具有更好的器件性能。全面提升了器件的開關特性和導通特性，同時降低了器件的導通電阻和柵極電荷，應用效率高、損耗低、速度快。以下是與傳統Trench工藝MOS特點對比：
產品特點一、小面積：相同芯片面積下，SpeedFET的ID@25℃提高約50%；
產品特點二、高效率：SpeedFET的導通更低，同時Cgd只是傳統Trench工藝的30%，米勒效應時間短，開通損耗大大降低(圖一)。
產品特點三、高速度：SpeedFET的動態參數（電荷、電容等）是傳統Trench工藝的30%，開關速度得到有效的增加(圖三)。
產品特點四、低EMI：SpeedFET因面積、動態參數小的原因，EMI更小。
產品特點五、小型化：DFN小型化封裝、clip先進壓焊，實現產品的低導通、小型化、高散熱能力。低封裝寄生參數，較低的 Ciss 和 Coss，可以降低硬開關拓撲中的開關損耗。
圖一：Gate Charge Waveform

圖二、EMI測試
            
圖三、開關特性（上圖普通TRENCH-MOSFET,下圖SpeedFET）